[헤드헌팅] 국내 유명 반도체 코스피 상장사
전력반도체 개발(SiC,Mosfet,IGBT)
- 공고소개
- 주요업무
- 자격요건
- 채용절차
* 본 공고는 헤드헌팅 공고입니다
전력반도체 개발(SiC,Mosfet,IGBT)-국내 유명 반도체 코스피 상장사
주요업무
전력반도체 개발(SiC,Mosfet,IGBT)
자격 요건
• 학사이상의 경력 3년 이상
• 전력반도체 개발(SiC,Mosfet,IGBT) 경력자
전력반도체(SIC,IGBT,MOSFET) 관련 경력자 우대
채용절차
서류, 면접
이 포지션에 필요한 전문분야/기술
전력반도체
전력전자
회로설계
Mosfet
IGBT
(주)프로써치코리아
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[헤드헌팅] 국내 유명 반도체 코스피 상장사
전력반도체 개발(SiC,Mosfet,IGBT)
직급/직책기타
연봉협의
근무지서울특별시 전체
경력3년 이상
학력학사 이상
마감일
채용 시 마감
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