ㆍ SiC물질 기반 power device 향 Epi 공정 개발 및 평가
- 대면적(8") SiC Epi 공정(구조, Recipe) 개발
- 대면적(8") SiC Epi 분석 및 WBG Epi 특성/신뢰성 평가
- MOCVD 설비 관리/운영
ㄴ SiC 개발/양산 및 설비 관리/운영 및 양산 PI 업무 대응
자격 요건
ㆍ SiC Epi(≥6") 개발/평가 경험
ㆍ SiC Epi 용 High temp CVD 관리/운영경험(≥3년)
우대사항
ㆍ SiC 전력소자 개발/평가 경험 ★★★
ㆍ SiC Device operation 이해 ★★☆
ㆍ SiC(8") Device operation 이해 ★★☆
ㆍ Aixtron SiC MOCVD 운영 경험 ★★★
ㆍ Power 제품개발 경력 3년 이상(석사), 5년 이상(학사) ★☆☆