∙ SiC MOSFET 소자개발
- 신규 Fab 공정을 개발 및 Process intergration 업무를 수행
- Static & Dynamic Test 및 소자의 전기적 특성을 측정/분석
- 개발 Mask를 제작하고, TEG layout 업무를 수행
- 양산개발(PI) 이슈에 대해 대응 업무를 수행
자격 요건
[필수요건]
∙ 전자/화학/물리/재료등 반도체 관련 전공 학사 이상
∙ Power Device/제품개발 경력 3년 이상
우대사항
[우대사항]
∙ Fab Process Engineering 경험자
∙ Device Physics 교육 이수자