국내 반도체 대기업

GaN물질 기반 power device 향 Epi 공정 개발 및 평가 - 대면적(8") GaN on Si Epi 공정(구조, Recipe) 개발 - 대면적(8") GaN on Si Epi 분석 및 WBG Epi 특성/신뢰성 평가 - MOCVD 설비 관리/운영 및 ㄴ 개발 업무 및 Project 및 GaN Epi 양산 PI 업무 대응

[필수요건] GaN on Si Epi(≥8") 개발/평가 경험 ∙ MOCVD 관리/운영 경험(≥3년)

[우대사항] ∙ GaN epi 구조 및 device operation 이해 ∙ GaN process 와 device performance 연관성 평가 경험 ∙ Aixtron GaN MOCVD 운영경험 ∙ Power 제품개발 경력 3년 이상(석사), 5년 이상(학사)

서류-면접 2회 - 최종합격