[헤드헌팅] 글로벌 대기업

Memory Interface IP 개발 포지션

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  • 자격요건
  • 채용절차
* 본 공고는 헤드헌팅 공고입니다
글로벌 대기업에서 Memory Interface IP 개발 포지션을 채용하고 있습니다

주요업무

-초고속 memory interface PHY 설계(LPDDR, HBM, 3D-DRAM) -고속/저전력 PHY architecture 개발 -Training algorithm 개발 -Circuit-level custom 회로 설계 및 digital front-end 설계 -고속/저전력 IP 설계 design flow 및 methodology 개발

자격 요건

- 유관경력 4~10년 Knowledge 관련 - Digital 설계 경험(digital RTL 설계, FE/BE 설계) - Design methodology 개발 경험 - 저전력/고속 회로 설계 경험

채용절차

서류전형 > 면접전형
이 포지션에 필요한 전문분야/기술
회로설계
반도체
HBM
PHY
RTL
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Memory Interface IP 개발 포지션

복지포인트
경조금
성과급
교육비 지원
휴양시설
연봉협의
근무지경기도 전체
경력4년~10년 차
학력학사 이상
마감일
채용 시 마감
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